应微电子学院刘红侠教授的邀请，美国范德堡大学（Vanderbilt University）工程学院院长Kenneth F. Galloway教授、空间与防御技术研究所所长Daniel M. Fleetwood教授以及电子与计算机学院院长Ronald Schrimpf教授等一行3人于2012年10月29日访问西电。

    10月29日上午，在北校区科技楼裙楼B302会议室，Galloway教授做了题为：“Catastrophic failure of silicon  power MOS in space（在太空工作的硅功率MOS器件灾难性的失效研究”的报告。在讲座中， Galloway教授分析了VDMOS器件的SEB和SEGR的形成原因和影响因素，并针对该种失效机制，讨论了两种有效的器件结构和测试方法。Schrimpf 教授做了题为“Soft errors in advanced CMOS technologies（现代CMOS技术中的软误差失效分析）”的报告，讨论了引起新型的CMOS器件如FET, SiGe 和FinFETs 器件的软误差的原因，并生动的阐述了对于不同的器件结构，受损部位，产生误差的机理和预防措施。Fleetwood教授做了题为“Oxygen-related border traps in MOS and  GaN devices（MOS和GaN器件中与氧相关的边界缺陷研究）”的报告，分析了新型的GaN器件中，由氧空位引起的陷阱。由于这些研究领域属于目前的学术前沿，引起了与会师生的极大兴趣。会场上，师生们就报告的内容和自己研究中存在的问题积极提问，三位教授均耐心详尽的进行了解答。会后，三位教授与郝跃副校长进行了深入的学术讨论，双方希望今后能够展开实质性的科研项目合作。

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    Galloway 教授1962年获得美国范德堡大学科学学士学位。1966年获得美国南卡罗莱纳大学博士学位。主要研究方向是固态器件，微电子器件和可靠性。Fleetwood 教授于1980, 1981, 1984年分别获得美国普渡大学物理学专业学士，硕士和博士学位。1999年，晋升为范德堡大学电子工程学院教授，现为电气和电子工程师协会和美国物理学协会的会员。 Fleetwood 教授迄今已发表350多（部）篇关于微电子辐照方面的著作和论文，其中，数十篇获得了杰出论文奖，并被引用了超过6300次。Schrimpf 教授分别于1981,1984和1986年获得美国明尼苏达大学学士，硕士和博士学位；1986年，晋升为美国亚利桑那大学电子和计算机工程学院教授；1996年，担任范德堡大学电子工程学院教授，主要研究方向为微电子和半导体器件的辐照特性。

                                                                                        微电子学院，国际交流与合作处