西电新闻网讯（通讯员 赵小燕）应技术物理学院杜磊教授的邀请，近日康奈尔大学博士生郝东泉来我校进行学术交流。

来访期间，郝东泉博士在北校区西大楼技术物理学院学术报告厅作了题为“Characterization of Epitaxial Graphene on Sapphire and SiC Substrates for Large-Scale Fabrication”的学术报告。报告由学院副院长邵晓鹏主持，尽管正值暑假，报告仍吸引了众多老师和学生前来聆听。郝博士就在蓝玉和碳化硅衬底上生长石墨烯外延层的特性、现状、发展与大家做了交流。报告结束后，郝博士与师生进行了深入交流。郝东泉博士还应邀与学院研究生座谈，就出国学习、出国访问以及美国当地风俗等同学们感兴趣的话题进行了交流。

郝东泉博士曾于02年至06年在著名的伯克利劳伦斯国家实验室工作，主要从事铝镓氮（AlGaN）高电子迁移率晶体管、退火温度和时间对应变硅位错分布的影响等方面的研究工作。06年8月开始在康奈尔大学攻读材料科学与工程的博士学位，主要研究领域包括：铟镓氮(InGaN)光伏器件的设计与制造，新型的石墨烯—碳化硅（SiC）异质结双极型晶体管器件的制造等。（完）

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