应微电子学院张义门教授的邀请，2011年6月16日至6月19日美国罗格斯大学(Rutgers University, USA)赵建辉教授来我校讲学访问。

      6月17日，来自西安理工大学和西安电子科技大学的200多名老师和研究生聆听了赵教授所做的题为“SiC Power Electronic Devices: The Second Electronics Revolution?”的报告。报告介绍了SiC的独特优势以及发展潜力、SiC功率器件和功率集成电路的新进展等，赵教授还特别介绍了其研究中心在功率器件方面取得的成就，其中包括2000年研制的世界上第一个4H-SiC双极晶体管、2003年研制出第一个增强型SiC VJFET、以及2007年所研制出的第一个SiC功率集成电路。赵建辉教授的报告引起了与会者的极大兴趣，为我校SiC材料和器件的研究提供了新的思路。此外，赵教授还参观了宽带隙半导体技术重点实验室并与微电子学院部分师生进行了深入地讨论，对我校发展SiC材料和器件提出了宝贵建议，表达了今后在SiC方面深入合作的意向。

      赵建辉教授于1988年获得美国卡内基梅隆大学电气及计算机工程专业博士学位，目前是美国罗格斯大学教授、SiCLAB研究中心主任、IEEE Fellow、IEEE EDS杰出讲学者。在刊物上已经发表220多篇论文，在研究机构和国际学术会议上做过170多次学术报告，拥有7项专利，出版两部专著，其中一本荣获2000年度亚玛逊.com相关书籍的最佳畅销书籍。

（微电子学院、宽带隙半导体技术重点实验室、国际合作与交流处）