信息来源: 发布日期:2010-03-26
应我校微电子学院和IEEE EDS 西安分会的邀请,台湾交通大学荆凤德教授于2010年3月24日访问了我校。
荆教授是一位在高介电常数栅介质研究方面有卓越贡献的科学家。将他研究的氧化铝,氧化镧等新型栅介质材料用于下一代32到22纳米的CMOSFET中,将明显改善器件的特性;他研究的绝缘层上的锗(GeOI或者GOI),为新一代的集成器件提供新的途径;他采用高能量离子注入将硅衬底层变成为半绝缘衬底,使硅上的RF电感、过滤器和天线的性能提高到100GHz做出重要贡献。


访问期间,荆教授参观了我校国家集成电路人才培养基地和宽禁带半导体技术教育部重点实验室,并做了题为“Low-Power High-Performance Electronic Devices for SoC”学术报告。来自我校和西安交通大学的师生聆听了荆教授的报告。在报告中,荆教授讲述了他近期在纳米器件方面的杰出贡献,引起了与会者的高度兴趣,并给与很高评价。这次高水平的学术报告,对于微电子的学科建设和科学研究具有积极意义。
另外,微电子学院副院长张玉明教授、微电子学院学术委员会主任,IEEE EDS西安分会主席张义门教授、学校港澳台事务办公室主任高新波教授等与荆教授进行了会谈,确定了双方今后合作与交流的重点。
荆凤德教授是IEEE EDS 杰出讲学者,IEEE EDS技术委员会成员,台湾纳米电子学协会主任,台湾交通大学多学科研究中心研究与开发办公室副主任,2008年曾经是IEDM分会主席,目前是IEDM亚洲筹备主席。
(微电子学院、宽禁带半导体技术教育部重点实验室、港澳台事务办公室)
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