应我校微电子学院、宽禁带半导体教育部重点实验室张义门教授的邀请，香港科技大学陈敬教授于2008年11月13日来我校交流访问。

    访问期间，郝跃副校长会见了陈敬教授，与其就氮化镓技术的发展趋势，促进相互合作和交流等议题进行了深入磋商，微电子学院庄奕琪院长、张玉明副院长以及宽禁带半导体实验室氮化镓课题组的部分教师也参加了座谈。

    11月13日下午3：00在微电子学院会议室，陈敬教授面向我校微电子学院的研究生和青年教师作了题为“氟等离子体注入-GaN器件工艺中的一项新技术” 的报告。陈敬教授首先简要介绍了宽禁带半导体材料GaN的特点与优势，重点讲解了如何通过氟等离子体注入对AlGaN/GaN HEMT器件的阈值电压进行调制，实现增强型器件，并给出了器件高温稳定性和电应力可靠性的一系列实验结果，对所涉及到的物理机制也分别做了详尽的解释。此外，陈教授还介绍了该技术在电力电子器件领域的应用前景。